<i id="drzkv"><pre id="drzkv"><samp id="drzkv"></samp></pre></i>
    <wbr id="drzkv"><table id="drzkv"><button id="drzkv"></button></table></wbr><i id="drzkv"></i>
  1. <source id="drzkv"><ins id="drzkv"><acronym id="drzkv"></acronym></ins></source>
    <source id="drzkv"></source>

      <sub id="drzkv"><dl id="drzkv"></dl></sub>
        <ins id="drzkv"><table id="drzkv"></table></ins>
    1. 0534-2300087

      客戶(hù)支持熱線(xiàn)

      行業(yè)動(dòng)態(tài)

      功率半導(dǎo)體模塊的發(fā)展趨勢(shì)
      發(fā)布日期:2020-07-17
        

      功率半導(dǎo)體模塊的發(fā)展趨勢(shì)

      1、碳化硅功率二極管

      碳化硅功率二極管有三種類(lèi)型:肖特基二極管(SBD)、PiN二極管和結(jié)勢(shì)壘控制肖特基二極管(JBS)。由于存在肖特基勢(shì)壘,SBD具有較低的結(jié)勢(shì)壘高度。因此,SBD具有低正向電壓的優(yōu)勢(shì)。SiC SBD的出現(xiàn)將SBD的應(yīng)用范圍從250 V提高到了1200 V。同時(shí),其高溫特性好,從室溫到由管殼限定的175℃,反向漏電流幾乎沒(méi)有增加。在3 kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域,SiC PiN和SiC JBS二極管由于比Si整流器具有更高的擊穿電壓、更快的開(kāi)關(guān)速度以及更小的體積和更輕的重量而備受關(guān)注。

      2、單極型功率晶體管,碳化硅功率MOSFET器件

      硅功率MOSFET器件具有理想的柵極電阻、高速的開(kāi)關(guān)性能、低導(dǎo)通電阻和高穩(wěn)定性。在300V以下的功率器件領(lǐng)域,是首選的器件。有文獻(xiàn)報(bào)道已成功研制出阻斷電壓10 kV的SiC MOSFET。研究人員認(rèn)為,碳化硅MOSFET器件在3kV~5 kV領(lǐng)域?qū)⒄紦?jù)優(yōu)勢(shì)地位。盡管遇到了不少困難,具有較大的電壓電流能力的碳化硅MOSFET器件的研發(fā)還是取得了顯著進(jìn)展。

      另外,有報(bào)道介紹,碳化硅MOSFET柵氧層的可靠性已得到明顯提高。在350℃條件下有良好的可靠性。這些研究結(jié)果表明柵氧層將有希望不再是碳化硅MOSFET的一個(gè)顯著的問(wèn)題。

      3、碳化硅絕緣柵雙極晶體管(SiC BJT、SiC IGBT)和碳化硅晶閘管(SiC Thyristor)

      最近報(bào)道了阻斷電壓12kV的碳化硅P型IGBT器件,并具有良好的正向電流能力。碳化硅IGBT器件的導(dǎo)通電阻可以與單極的碳化硅功率器件相比。與Si雙極型晶體管相比,SiC雙極型晶體管具有低20~50倍的開(kāi)關(guān)損耗以及更低的導(dǎo)通壓降。SiC BJT主要分為外延發(fā)射極和離子注入發(fā)射極BJT,典型的電流增益在10-50之間。

      關(guān)于碳化硅晶閘管,有報(bào)道介紹了1平方厘米的晶閘管芯片,阻斷電壓5kV,在室溫下電流100A(電壓4.1V),開(kāi)啟和關(guān)斷時(shí)間在幾十到幾百納秒。

      半導(dǎo)體模塊之間的差異,不僅僅體現(xiàn)在連接技術(shù)方面。另一個(gè)差別因素是附加有源和無(wú)源器件的集成度。根據(jù)集成度不同,可分為以下幾類(lèi):標(biāo)準(zhǔn)模塊,智能功率模塊(IPM),(集成)子系統(tǒng)。在IPM被廣泛使用(尤其在亞洲地區(qū))的同時(shí),集成子系統(tǒng)的使用只剛剛起步。

      1、智能功率模塊(IPMs)

      智能功率模塊的特點(diǎn)在于除了功率半導(dǎo)體器件外,還有驅(qū)動(dòng)電路。許多IPM模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測(cè)量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護(hù)和監(jiān)測(cè)功能,如過(guò)電流和短路保護(hù),驅(qū)動(dòng)器電源電壓控制和直流母線(xiàn)電壓測(cè)量等。

      然而,大部分智能功率模塊沒(méi)有對(duì)功率側(cè)的信號(hào)輸入進(jìn)行電氣隔離。只有極少數(shù)的IPM包含了一個(gè)集成光耦。另一種隔離方案是采用變壓器 進(jìn)行隔離。

      通常,小規(guī)模的IPM的特點(diǎn)在于其引線(xiàn)框架技術(shù)。穿孔銅板用作功率開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)IC的載體。通過(guò)一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進(jìn)行散熱。

      用于中高功率應(yīng)用的IPM模塊的設(shè)計(jì)特點(diǎn)是將模塊分為兩個(gè)層次。功率半導(dǎo)體在底部,驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)電路在上部。本領(lǐng)域內(nèi)名氣最大的IPM是賽米控的SKiiP?,已面市超過(guò)了10年。這種無(wú)底板IPM系列產(chǎn)品的最大額定電流是2400A,包括一個(gè)驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,加上電流傳感器、電氣隔離和電源。這些模塊裝在風(fēng)冷或水冷冷卻器上,并在供貨前進(jìn)行全面的測(cè)試。

      一個(gè)有趣的趨勢(shì)是將標(biāo)準(zhǔn)模塊升級(jí)為IPM。可直接或使用帶驅(qū)動(dòng)電路(通過(guò)彈簧連接)的適配器板來(lái)進(jìn)行升級(jí)。賽米控的SKYPERTM驅(qū)動(dòng)器是這方面理想的產(chǎn)品。

      2、集成子系統(tǒng)

      所有這些IPM的共同點(diǎn)是真實(shí)的“智能”,即將設(shè)定點(diǎn)值轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)脈沖序列的控制器不包含在模塊中。賽米控是250kW以下轉(zhuǎn)換器用集成子系統(tǒng)的核心制造商。SKAITM模塊也是IPM,其特點(diǎn)是集成了DSP控制器,除脈寬調(diào)制外,還可進(jìn)行其它通信任務(wù)。這些子系統(tǒng)也包含集成直流環(huán)節(jié)電容器,一個(gè)輔助電源,精密電流傳感器和一個(gè)液體冷卻器。


      關(guān)注微信
      国产成人a视频高清在线观看_亚洲最大AV免费专区_日韩精品国产一区不卡_全免费一级毛片免费看
        <i id="drzkv"><pre id="drzkv"><samp id="drzkv"></samp></pre></i>
        <wbr id="drzkv"><table id="drzkv"><button id="drzkv"></button></table></wbr><i id="drzkv"></i>
      1. <source id="drzkv"><ins id="drzkv"><acronym id="drzkv"></acronym></ins></source>
        <source id="drzkv"></source>

          <sub id="drzkv"><dl id="drzkv"></dl></sub>
            <ins id="drzkv"><table id="drzkv"></table></ins>
        1. 中出仑乱中文字幕视频网 | 午夜亚洲国产理论飘花中文 | 亚洲欧美日韩颜射在线 | 日本中文字幕乱码免费 | 香蕉在线精品视频在线观看 | 亚洲综合视频一区 |